DS1230AB-85
数据手册.pdfMaxim Integrated(美信)
电子元器件分类
DS1230AB-85中文资料参数规格
技术参数
电源电压DC 5.00 V, 5.25 V max
时钟频率 85.0 GHz
存取时间 85 ns
内存容量 256000 B
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压 4.75V ~ 5.25V
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 28
封装 EDIP-28
外形尺寸
长度 39.12 mm
宽度 18.8 mm
高度 9.4 mm
封装 EDIP-28
物理参数
工作温度 0℃ ~ 70℃
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准
含铅标准
DS1230AB-85引脚图与封装图 
DS1230AB-85引脚图
DS1230AB-85封装图
DS1230AB-85封装焊盘图
在线购买DS1230AB-85
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DS1230AB-85 | Maxim Integrated 美信 | IC NVSRAM 256Kbit 85NS 28DIP | 搜索库存 |
替代型号DS1230AB-85
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DS1230AB-85 品牌： Maxim Integrated 美信 封装： DIP 256000B 5V 85ns 28Pin | 当前型号 | IC NVSRAM 256Kbit 85NS 28DIP | 当前型号 |
| 型号： DS1230AB-85+ 品牌： 美信 封装： EDIP | 完全替代 | Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 85ns, CMOS, 0.74INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-28 | DS1230AB-85和DS1230AB-85+的区别 |
| 型号： DS1230AB-70+ 品牌： 美信 封装： DIP 32000B 5V 70ns 28Pin | 类似代替 | MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1230AB-70+ 芯片, 存储器, NVRAM | DS1230AB-85和DS1230AB-70+的区别 |
| 型号： DS1230Y-85+ 品牌： 美信 封装： EDIP 32000B 4.5V 28Pin | 类似代替 | MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1230Y-85+ 芯片, 存储器, NVRAM | DS1230AB-85和DS1230Y-85+的区别 |