C3M0120090J
数据手册.pdfCREE(美国科锐)
分立器件
C3M0120090J中文资料参数规格
技术参数
额定功率 83 W
通道数 1
漏源极电阻 170 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 83 W
阈值电压 1.8 V
漏源极电压Vds 900 V
漏源击穿电压 900 V
上升时间 9 ns
输入电容Ciss 350pF @600VVds
下降时间 5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 83W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 TO-263-8
外形尺寸
封装 TO-263-8
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
C3M0120090J引脚图与封装图
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在线购买C3M0120090J
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| C3M0120090J | CREE 美国科锐 | MOSFET N-CH 900V 22A | 搜索库存 |
替代型号C3M0120090J
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： C3M0120090J 品牌： CREE 美国科锐 封装： TO-263-7 N-Channel | 当前型号 | MOSFET N-CH 900V 22A | 当前型号 |
| 型号： C3M0120090J-TR 品牌： 美国科锐 封装： TO-263-7 | 类似代替 | C3M0120090J-TR 编带 | C3M0120090J和C3M0120090J-TR的区别 |