CL03B103KP3NNND
数据手册.pdfSamsung(三星)
被动器件
CL03B103KP3NNND中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 10.0 V
电容 0.01 µF
容差 ±10 %
电介质特性 X7R
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -55 ℃
额定电压 10 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装公制 0603
封装 0201
外形尺寸
长度 0.6 mm
宽度 0.3 mm
高度 0.3 mm
封装公制 0603
封装 0201
厚度 0.3 mm
物理参数
材质 X7R/-55℃~+125℃
工作温度 -55℃ ~ 125℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
最小包装 10000
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
CL03B103KP3NNND引脚图与封装图 
CL03B103KP3NNND引脚图
CL03B103KP3NNND封装图
CL03B103KP3NNND封装焊盘图
在线购买CL03B103KP3NNND
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CL03B103KP3NNND | Samsung 三星 | CL03 系列 0201 10 nF 10 V ±10% 容差 X7R 多层陶瓷电容 | 搜索库存 |
替代型号CL03B103KP3NNND
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： CL03B103KP3NNND 品牌： Samsung 三星 封装： 0201 10nF 10V ±10% | 当前型号 | CL03 系列 0201 10 nF 10 V ±10% 容差 X7R 多层陶瓷电容 | 当前型号 |
| 型号： CL03B103KP3NNNC 品牌： 三星 封装： 0201 10nF 10V ±10% | 类似代替 | 10nf 10% 容差 10 V 0201 多层陶瓷电容 | CL03B103KP3NNND和CL03B103KP3NNNC的区别 |
| 型号： CL03B103KP3NNNH 品牌： 三星 封装： 0201 10nF 10V ±10% | 功能相似 | 0201 10nF ±10% 10V X7R | CL03B103KP3NNND和CL03B103KP3NNNH的区别 |
| 型号： CL03B103KQ3NNNC 品牌： 三星 封装： 0201 10nF 6.3V ±10% | 功能相似 | CL03 系列 0201 10 nF 6.3 V 10 % X7R SMD 多层陶瓷电容 | CL03B103KP3NNND和CL03B103KQ3NNNC的区别 |