C2012C0G1H472JT
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TDK
东电化
被动器件
C2012C0G1H472JT中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 50.0 V
电容 4700 pF
容差 ±5 %
电介质特性 C0G/NP0
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装公制 2012
封装 0805
外形尺寸
长度 2.00 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.6 mm
封装公制 2012
封装 0805
物理参数
介质材料 Ceramic Multilayer
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
C2012C0G1H472JT引脚图与封装图
暂无图片
在线购买C2012C0G1H472JT
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| C2012C0G1H472JT | TDK 东电化 | Cap Ceramic 0.0047uF 50V C0G 5% SMD 0805 125C Paper T/R | 搜索库存 |
替代型号C2012C0G1H472JT
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： C2012C0G1H472JT 品牌： TDK 东电化 封装： 2012 4.7nF ±5% 50V C0G/NP0 | 当前型号 | Cap Ceramic 0.0047uF 50V C0G 5% SMD 0805 125C Paper T/R | 当前型号 |
| 型号： GRM2165C1H472JA01D 品牌： 村田 封装： 0805 4.7nF 50V 5per | 类似代替 | MURATA GRM2165C1H472JA01D 多层陶瓷电容器, 表面贴装, GRM系列, 4700 pF, ± 5%, C0G / NP0, 50 V, 0805 [2012 公制] | C2012C0G1H472JT和GRM2165C1H472JA01D的区别 |
| 型号： C2012C0G1H472J/0.85 品牌： 东电化 封装： 4.7nF 50V ±5% | 类似代替 | CAP CER 4700pF 50V 5% NPO 0805 | C2012C0G1H472JT和C2012C0G1H472J/0.85的区别 |
| 型号： CL21C472JBFNNNE 品牌： 三星 封装： 0805 4.7nF 50V ±5% | 功能相似 | Samsung 0805 C0G/X5R MLCC series reels### 0805 系列镍挡板终端覆镀锡 NiSn 层，应用包括移动电话、视频和调谐器设计，COG/NPO 是温度补偿的最常见配方，为 EIA I 类陶瓷材料，X7R、X5R 配方称为温度稳定陶瓷，属于 EIA II 类材料，Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途，属于 EIA II 类材料；这些特征非常适合退耦应用。Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途，属于 EIA II 类材料；这些特征非常适合退耦应用。 | C2012C0G1H472JT和CL21C472JBFNNNE的区别 |