CZDM1003N TR
数据手册.pdf
Central Semiconductor
主动器件
CZDM1003N TR中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 2W Ta
漏源极电压Vds 100 V
输入电容Ciss 975pF @25VVds
耗散功率Max 2W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-261-4
外形尺寸
封装 TO-261-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 无铅
CZDM1003N TR引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| CZDM1003N TR | Central Semiconductor | Mosfet n-Ch 100V 3A Sot-223 | 搜索库存 |