CTLDM3590 TR
数据手册.pdf
Central Semiconductor
分立器件
耗散功率 125mW Ta
漏源极电压Vds 20 V
输入电容Ciss 9pF @15VVds
额定功率Max 125 mW
耗散功率Max 125mW Ta
安装方式 Surface Mount
封装 XFDFN-3
封装 XFDFN-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 无铅
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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CTLDM3590 TR | Central Semiconductor | Mosfet n-Ch 20V 0.16A Tlm3d6d8 | 搜索库存 |