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CY7C1318BV18-167BZC

CY7C1318BV18-167BZC

数据手册.pdf

18兆位的DDR - II SRAM的2字突发架构 18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture

SRAM - Synchronous, DDR II Memory IC 18Mb 1M x 18 Parallel 167MHz 165-FBGA 13x15


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CY7C1318BV18-167BZC


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IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA


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SRAM 1Mx18 1.8V COM DDR II SRAM


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SRAM Chip Sync Single 1.8V 18M-bit 1M x 18 0.5ns 165-Pin FBGA Tray


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SRAM Chip Sync Single 1.8V 18M-bit 1M x 18 0.5ns 165-Pin FBGA Tray


CY7C1318BV18-167BZC中文资料参数规格
技术参数

位数 18

存取时间Max 0.5 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

电源电压Max 1.9 V

电源电压Min 1.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 FBGA-165

外形尺寸

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

CY7C1318BV18-167BZC引脚图与封装图
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CY7C1318BV18-167BZC Cypress Semiconductor 赛普拉斯 18兆位的DDR - II SRAM的2字突发架构 18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture 搜索库存