BSC100N03MSG
数据手册.pdf
Infineon
英飞凌
分立器件
极性 N-Channel
耗散功率 30.0 W
漏源极电压Vds 30 V
上升时间 4.8 ns
输入电容Ciss 1700pF @15VVds
额定功率Max 30 W
下降时间 5.4 ns
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SuperSO-8
封装 SuperSO-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BSC100N03MSG | Infineon 英飞凌 | 30V,44A,N沟道功率MOSFET | 搜索库存 |