通道数 1
耗散功率 167 W
漏源极电压Vds 30 V
上升时间 82 ns
输入电容Ciss 3430pF @25VVds
额定功率Max 167 W
下降时间 107 ns
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
宽度 6.22 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 185℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BUK9207-30B,118 | NXP 恩智浦 | Trans MOSFET N-CH 30V 112A 3Pin2+Tab DPAK T/R | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BUK9207-30B,118 品牌: NXP 恩智浦 封装: SOT428 | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 30V 112A 3Pin2+Tab DPAK T/R | 当前型号 | |
型号: BUK7207-30B,118 品牌: 恩智浦 封装: DPAK | 类似代替 | Trans MOSFET N-CH 30V 112A 3Pin2+Tab DPAK T/R | BUK9207-30B,118和BUK7207-30B,118的区别 | |
型号: PHD101NQ03LT,118 品牌: 恩智浦 封装: SOT428 N-Channel 30V 75A | 类似代替 | DPAK N-CH 30V 75A | BUK9207-30B,118和PHD101NQ03LT,118的区别 |