BCM856BS,115
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
BCM856BS,115中文资料参数规格
技术参数
频率 175 MHz
针脚数 6
极性 PNP
耗散功率 300 mW
增益频宽积 175 MHz
击穿电压集电极-发射极 65 V
集电极最大允许电流 0.1A
测试电流 5 mA
最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V
稳压值 33 V
额定功率Max 300 mW
直流电流增益hFE 450
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSSOP-6
外形尺寸
高度 1 mm
封装 TSSOP-6
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
BCM856BS,115引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BCM856BS,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BCM856BS,115 | NXP 恩智浦 | NXP BCM856BS,115 双极性晶体管阵列, 双路PNP, -65V, -100mA, 6-SOT-363 | 搜索库存 |
替代型号BCM856BS,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BCM856BS,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT-363 PNP 300mW | 当前型号 | NXP BCM856BS,115 双极性晶体管阵列, 双路PNP, -65V, -100mA, 6-SOT-363 | 当前型号 |
| 型号： BCM856BS 品牌： 恩智浦 封装： SOT-363 PNP | 功能相似 | NXP BCM856BS 双极晶体管阵列, PNP, -65 V, 300 mW, -100 mA, 290 hFE, SOT-363 | BCM856BS,115和BCM856BS的区别 |