BSV236SP L6327

Infineon(英飞凌) 分立器件

Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A 6Pin SOT-363 T/R

P-Channel 20V 1.5A Ta 560mW Ta Surface Mount PG-SOT363-6

得捷:
MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT363-6

贸泽:
MOSFET P-Ch -20V 1.5A SOT-363-6

Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A 6-Pin SOT-363 T/R

Win Source:
MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT-363

BSV236SP L6327中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 560 mW

漏源极电压Vds 20 V

上升时间 8.5 ns

输入电容Ciss 228pF @15VVds

额定功率Max 560 mW

下降时间 8.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 560mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-363-6

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 0.9 mm

封装 SOT-363-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BSV236SP L6327引脚图与封装图

暂无图片

在线购买BSV236SP L6327

型号	制造商	描述	购买
BSV236SP L6327	Infineon 英飞凌	Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A 6Pin SOT-363 T/R	搜索库存