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BSP170PE6327T

BSP170PE6327T

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

SIPMOSà ?小信号三极管 SIPMOS® Small-Signal-Transistor

表面贴装型 P 通道 1.9A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4


得捷:
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4


BSP170PE6327T中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -60.0 V

额定电流 -1.90 A

极性 P-CH

耗散功率 1.8W Ta

输入电容 410 pF

栅电荷 16.0 nC

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 1.90 A

上升时间 28.0 ns

输入电容Ciss 410pF @25VVds

耗散功率Max 1.8W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-223-4

外形尺寸

封装 SOT-223-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BSP170PE6327T引脚图与封装图
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