BCP 53-16 E6327

Infineon(英飞凌) 分立器件

Trans GP BJT PNP 80V 1A 4Pin3+Tab SOT-223 T/R

Bipolar BJT Transistor PNP 80V 1A 125MHz 2W Surface Mount PG-SOT223-4

得捷:
TRANS PNP 80V 1A SOT143R-3D

安富利:
Trans GP BJT PNP 80V 1A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R

Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 80V 1A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R

BCP 53-16 E6327中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -80.0 V

额定电流 -1.00 A

耗散功率 2000 mW

击穿电压集电极-发射极 80 V

最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 2V

额定功率Max 2 W

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-223-4

外形尺寸

封装 SOT-223-4

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BCP 53-16 E6327引脚图与封装图

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型号	制造商	描述	购买
BCP 53-16 E6327	Infineon 英飞凌	Trans GP BJT PNP 80V 1A 4Pin3+Tab SOT-223 T/R	搜索库存

替代型号BCP 53-16 E6327

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： BCP 53-16 E6327 品牌： Infineon 英飞凌封装： SOT-223 -80V -1A 2000mW	当前型号	Trans GP BJT PNP 80V 1A 4Pin3+Tab SOT-223 T/R	当前型号
型号： BCP5316E6433HTMA1 品牌：英飞凌封装： SOT-223 PNP	类似代替	SOT-223 PNP 80V 1A	BCP 53-16 E6327和BCP5316E6433HTMA1的区别
型号： BCP53-16,115 品牌：安世封装：	功能相似	Nexperia BCP53-16,115 , PNP 晶体管, 1 A, Vce=80 V, HFE:100, 145 MHz, 4引脚 SOT-223 SC-73封装	BCP 53-16 E6327和BCP53-16,115的区别
型号： BCP53-16 品牌：意法半导体封装： SOT-223 1600mW	功能相似	低功率PNP晶体管 LOW POWER PNP TRANSISTOR	BCP 53-16 E6327和BCP53-16的区别