BUZ111S

Infineon 英飞凌分立器件

SIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power Transistor

Features

• N channel

• Enhancement mode

• Avalanche rated

• dv/dt rated

• 175˚C operating temperature

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube

罗切斯特:
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube

BUZ111S中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 55 V

连续漏极电流Ids 80A

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220

外形尺寸

封装 TO-220

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BUZ111S引脚图与封装图

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