额定电压DC -50.0 V
额定电流 -300 mA
击穿电压集电极-发射极 50 V
最小电流放大倍数hFE 60 @2mA, 5V
额定功率Max 625 mW
安装方式 Through Hole
封装 TO-92-3
封装 TO-92-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BC212 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-92 -50V -300mA | 当前型号 | 流程63 PNP中功率 Process 63 PNP Medium Power | 当前型号 | |
型号: BC307BRL1G 品牌: 安森美 封装: TO-92 PNP -45V -100mA 350mW | 功能相似 | 放大器晶体管PNP硅 Amplifier Transistors PNP Silicon | BC212和BC307BRL1G的区别 | |
型号: MPSW56 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-226 -80V -1A | 功能相似 | PNP通用放大器 PNP General Purpose Amplifier | BC212和MPSW56的区别 | |
型号: MPS6729 品牌: 摩托罗拉 封装: | 功能相似 | TRANS PNP 80V 0.5A TO-92 | BC212和MPS6729的区别 |