BZX55C12
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
BZX55C12中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 12.0 V
容差 ±5 %
额定功率 500 mW
击穿电压 12.0 V
正向电压 1.3V @100mA
耗散功率 500 mW
稳压值 12 V
正向电压Max 1.3V @100mA
额定功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 DO-35
外形尺寸
封装 DO-35
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 200℃
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
BZX55C12引脚图与封装图
暂无图片
替代型号BZX55C12
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BZX55C12 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： DO-35 12V 12V | 当前型号 | 齐纳二极管 Zeners | 当前型号 |
| 型号： 1N5242B 品牌： 飞兆/仙童 封装： DO-35 12V 12V | 类似代替 | 齐纳二极管 Zener Diodes | BZX55C12和1N5242B的区别 |
| 型号： BZX79C12_T50A 品牌： 飞兆/仙童 封装： DO-35 12V | 类似代替 | Diode Zener Single 12.05V 5% 0.5W1/2W 2Pin DO-35 Ammo | BZX55C12和BZX79C12_T50A的区别 |
| 型号： BZX55C12-TAP 品牌： 威世 封装： DO-35 12.7V | 功能相似 | 齐纳二极管 500mW，BZX55C 系列，Vishay Semiconductor小信号齐纳二极管 超剧烈反向特性 低反向电流电平 非常高的稳定性 低噪声 符合 AEC-Q101### 齐纳二极管，Vishay Semiconductor | BZX55C12和BZX55C12-TAP的区别 |