额定电压DC 60.0 V
额定电流 1.00 A
极性 PNP
耗散功率 625 mW
击穿电压集电极-发射极 45 V
最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 1V
最大电流放大倍数hFE 400
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Through Hole
封装 TO-226-3
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-226-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BC327A 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-92 PNP 60V 1A | 当前型号 | PNP外延硅晶体管 PNP Epitaxial Silicon Transistor | 当前型号 | |
型号: BC327BU 品牌: 安森美 封装: TO-92 625mW | 类似代替 | ON Semiconductor BC327BU , PNP 晶体管, 800mA, Vce=50 V, HFE:100, 20 MHz, 3引脚 TO-92封装 | BC327A和BC327BU的区别 | |
型号: BC32716BU 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-92 PNP -45V -800mA 0.625W | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BC32716BU 单晶体管 双极, PNP, -45 V, 100 MHz, 625 mW, -800 mA, 60 hFE | BC327A和BC32716BU的区别 | |
型号: BC327-40BK 品牌: Diotec Semiconductor 封装: | 功能相似 | TO-92 PNP 45V 0.8A | BC327A和BC327-40BK的区别 |