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BZW06-31RL

BZW06-31RL

数据手册.pdf

峰值脉冲功率600 W( 10 / 1000毫秒) PEAK PULSE POWER 600 W 10/1000ms

64.3V Clamp 62A 8/20µs Ipp Tvs Diode Through Hole DO-15


得捷:
TVS DIODE 30.8VWM 64.3VC DO15


立创商城:
Vrwm:30.8V 600W


艾睿:
Diode TVS Single Uni-Dir 30.8V 600W 2-Pin DO-15 T/R


安富利:
Diode TVS Single Uni-Dir 30.8V 600W 2-Pin DO-15 T/R


Chip1Stop:
Diode TVS Single Uni-Dir 30.8V 600W 2-Pin DO-15 T/R


Verical:
TVS Diode Single Uni-Dir 30.8V 600W 2-Pin DO-15 T/R


BZW06-31RL中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 31.0 V

额定功率 600 W

击穿电压 34.2 V

电路数 1

钳位电压 64.3 V

最大反向电压(Vrrm) 30.8V

测试电流 1 mA

脉冲峰值功率 600 W

最小反向击穿电压 34.2 V

击穿电压 34.2 V

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

工作结温 175 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 DO-15

外形尺寸

长度 6.75 mm

宽度 3.53 mm

直径 3.53 mm

封装 DO-15

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BZW06-31RL引脚图与封装图
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在线购买BZW06-31RL
型号 制造商 描述 购买
BZW06-31RL ST Microelectronics 意法半导体 峰值脉冲功率600 W( 10 / 1000毫秒) PEAK PULSE POWER 600 W 10/1000ms 搜索库存
替代型号BZW06-31RL
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BZW06-31RL

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: DO-15 31V 600W

当前型号

峰值脉冲功率600 W( 10 / 1000毫秒) PEAK PULSE POWER 600 W 10/1000ms

当前型号

型号: BZW06-31

品牌: 意法半导体

封装: DO-15 31V 600W

完全替代

ESD 抑制器/TVS 二极管 600W 31V Unidirect

BZW06-31RL和BZW06-31的区别

型号: SA24CA

品牌: 力特

封装: DO-15 24V 500W

功能相似

SA系列 38.9V 0.5kW 通孔 双向 瞬态电压抑制二极管 DO-204AC

BZW06-31RL和SA24CA的区别

型号: BZW06-19

品牌: Diotec Semiconductor

封装:

功能相似

DO-15 18.8V 600W

BZW06-31RL和BZW06-19的区别