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BFP843FH6327XTSA1

BFP843FH6327XTSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

晶体管 双极-射频, NPN, 2.6 V, 125 mW, 55 mA, 150 hFE

In addition to offering the benefits of traditional BJTs, the RF amplifier from Technologies is perfect for high radio frequency power situations. This RF transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.


得捷:
BFP843 - ULTRA LOW-NOISE SIGE:C


贸泽:
射频RF双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS


艾睿:
Trans RF BJT NPN 2.25V 0.055A Automotive 4-Pin TSFP


安富利:
Trans GP BJT NPN 2.25V 0.055A 4-Pin TSFP T/R


Chip1Stop:
ROBUST LOW NOISE BROADBAND PRE-MATCHED BIPOLAR RF TRANSISTOR


BFP843FH6327XTSA1中文资料参数规格
技术参数

针脚数 4

耗散功率 125 mW

输入电容 0.7 pF

击穿电压集电极-发射极 2.25 V

增益 13.5dB ~ 25dB

最小电流放大倍数hFE 150 @15mA, 1.8V

额定功率Max 125 mW

直流电流增益hFE 150

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 125 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TSFP-4-1

外形尺寸

封装 TSFP-4-1

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Dedicated short range communication DSRC systems: WLAN IEEE802.11p

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BFP843FH6327XTSA1引脚图与封装图
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BFP843FH6327XTSA1 Infineon 英飞凌 晶体管 双极-射频, NPN, 2.6 V, 125 mW, 55 mA, 150 hFE 搜索库存