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BGB741L7ESDE6327XTSA1

BGB741L7ESDE6327XTSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  BGB741L7ESDE6327XTSA1  芯片, 低噪放大器, MMIC, 30MA, 4V, TSLP7-1

射频放大器,

**Infineon** 的射频低噪声放大器 LNA 范围涵盖了 MMIC、GPS、增益和 PCS 以及宽带类型和 Glonass 前端模块。 射频放大器具有低功耗、高数据速率接收特性,具有 ESD 保护,可在移动设备中使用。 GPS/GLONASS 模块广泛用于个人导航设备 PND、平板电脑、相机和手机。


得捷:
IC AMP CELL 50MHZ-3.5GHZ TSLP7-1


欧时:
Infineon BGB741L7ESD 系列 低噪声 RF 放大器 BGB741L7ESDE6327XTSA1, 21.5 dB功率增益, 最高5 GHz, 7引脚


艾睿:
High-Performance Broad Band LNA MMIC 6-Pin TSLP EP T/R


安富利:
High-Performance Broad Band LNA MMIC 6-Pin TSLP EP T/R


Verical:
High-Performance Broad Band LNA MMIC Automotive 6-Pin TSLP EP T/R


Newark:
# INFINEON  BGB741L7ESDE6327XTSA1  RF BIP TRANSISTORS


BGB741L7ESDE6327XTSA1中文资料参数规格
技术参数

频率 50MHz ~ 3.5GHz

供电电流 30 mA

针脚数 7

增益 19 dB

测试频率 1.5 GHz

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 120 mW

电源电压 1.8V ~ 4V

电源电压Max 4 V

电源电压Min 1.8 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSLP-7-1

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.45 mm

封装 TSLP-7-1

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, 射频通信, 工业, Industrial, Mobile TV, DAB, RKE, AMR, Cellular, ZigBee, WiMAX, SDARs, WiFi, Cordless phone, UMTS, WLAN, 电源管理, RF Communications

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

BGB741L7ESDE6327XTSA1引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BGB741L7ESDE6327XTSA1 Infineon 英飞凌 INFINEON  BGB741L7ESDE6327XTSA1  芯片, 低噪放大器, MMIC, 30MA, 4V, TSLP7-1 搜索库存