BC517G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 1.00 A
极性 NPN
耗散功率 1.5 W
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 30000 @20mA, 2V
额定功率Max 625 mW
直流电流增益hFE 30000
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 200 MHz
耗散功率Max 1500 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
外形尺寸
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Box
制造应用 ESD Protection, Polarity Reversal Protection, Steering Logic, Inductive Load Protection, Data Line Protection
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
BC517G引脚图与封装图 
BC517G引脚图
BC517G封装图
BC517G封装焊盘图
在线购买BC517G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BC517G | ON Semiconductor 安森美 | ON SEMICONDUCTOR BC517G 双极性晶体管, NPN, 30V, TO-92 | 搜索库存 |
替代型号BC517G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BC517G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-92 NPN 30V 1A 1500mW | 当前型号 | ON SEMICONDUCTOR BC517G 双极性晶体管, NPN, 30V, TO-92 | 当前型号 |
| 型号： BC517ZL1G 品牌： 安森美 封装： TO-92 NPN 30V 1A 1500mW | 完全替代 | 达林顿晶体管NPN硅 Darlington Transistors NPN Silicon | BC517G和BC517ZL1G的区别 |
| 型号： BC517ZL1 品牌： 安森美 封装： TO-92 NPN 30V 1A | 完全替代 | 达林顿晶体管NPN硅 Darlington Transistors NPN Silicon | BC517G和BC517ZL1的区别 |
| 型号： BC517RL1G 品牌： 安森美 封装： TO-92 NPN 30V 1A 1500mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR BC517RL1G 单晶体管 双极, NPN, 30 V, 200 MHz, 1.5 W, 1 A, 30000 hFE | BC517G和BC517RL1G的区别 |