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BFR193E6327HTSA1

BFR193E6327HTSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  BFR193E6327HTSA1  晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, 70 hFE

射频双极,


欧时:
Infineon BFR193E6327HTSA1 , NPN 射频双极晶体管, 80 mA, Vce=12 V, HFE:70, 8 GHz, 3引脚 SOT-23封装


立创商城:
12V 80mA


得捷:
RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3


贸泽:
射频RF双极晶体管 NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW


e络盟:
晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, 70 hFE


艾睿:
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
# INFINEON  BFR193E6327HTSA1  TRANSISTOR, RF, NPN, 12V, 8GHZ, SOT-23-3


Win Source:
RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3 / RF Transistor NPN 12V 80mA 8GHz 580mW Surface Mount PG-SOT23


BFR193E6327HTSA1中文资料参数规格
技术参数

频率 8000 MHz

额定电压DC 12.0 V

额定电流 65.0 mA

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 580 mW

输入电容 2.25 pF

击穿电压集电极-发射极 12 V

增益 10dB ~ 15dB

最小电流放大倍数hFE 70 @30mA, 8V

额定功率Max 580 mW

直流电流增益hFE 70

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 580 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 工业, 车用, LNA in RF Front-end, Industrial, Wireless, 无线, 电源管理, Power Management, Wireless Communications, Automotive, for various applications like cellular and cordless phones, DECT, Tuners, FM, and RF modems.

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

BFR193E6327HTSA1引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BFR193E6327HTSA1 Infineon 英飞凌 INFINEON  BFR193E6327HTSA1  晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, 70 hFE 搜索库存