容差 ±5 %
正向电压 900mV @10mA
耗散功率 0.83 W
测试电流 5 mA
稳压值 2.7 V
正向电压Max 900mV @10mA
额定功率Max 375 mW
耗散功率Max 830 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 SOD-123F
封装 SOD-123F
工作温度 -65℃ ~ 150℃
温度系数 -1.75 mV/K
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BZT52H-C2V7,115 | NXP 恩智浦 | SOD-123F 2.7V 830mW | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BZT52H-C2V7,115 品牌: NXP 恩智浦 封装: SOD-123F | 当前型号 | SOD-123F 2.7V 830mW | 当前型号 | |
型号: BZT52H-B2V7,115 品牌: 恩智浦 封装: SOT353 | 类似代替 | NXP BZT52H-B2V7,115 单管二极管 齐纳, 2.7 V, 375 mW, SOD-123F, 2 %, 2 引脚, 150 °C | BZT52H-C2V7,115和BZT52H-B2V7,115的区别 | |
型号: BZV55-C2V7,115 品牌: 恩智浦 封装: Mini-MELF | 功能相似 | NXP BZV55-C2V7,115 单管二极管 齐纳, 2.7 V, 500 mW, SOD-80C, 5 %, 2 引脚, 200 °C | BZT52H-C2V7,115和BZV55-C2V7,115的区别 |