频率 100 MHz
极性 NPN
耗散功率 0.25 W
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 110 @2mA, 5V
额定功率Max 250 mW
耗散功率Max 250 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
封装 SOT-23-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BCV71,215 品牌: NXP 恩智浦 封装: TO-236-3 NPN 250mW | 当前型号 | BCV71 系列 60 V 100 mA 表面贴装 NPN 通用 晶体管 - SOT-23-3 | 当前型号 | |
型号: MMBT2484LT1G 品牌: 安森美 封装: SOT-23 NPN 60V 100mA 300mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MMBT2484LT1G 单晶体管 双极, NPN, 60 V, 225 mW, 100 mA, 250 hFE | BCV71,215和MMBT2484LT1G的区别 | |
型号: MMBTA05LT1G 品牌: 安森美 封装: SOT-23 NPN 60V 96.1A 300mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MMBTA05LT1G 单晶体管 双极, NPN, 60 V, 100 MHz, 225 mW, 500 mA, 100 hFE | BCV71,215和MMBTA05LT1G的区别 | |
型号: FMMT451TA 品牌: 美台 封装: SOT-23-3 NPN 60V 1A 500mW | 功能相似 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Medium Power | BCV71,215和FMMT451TA的区别 |