BFG10W/X,115

NXP(恩智浦) 分立器件

NXP### 双极性晶体管，NXP Semiconductors

射频双极，Nexperia

得捷:
RF TRANS NPN 10V 1.9GHZ 4SO

欧时:
NXP BFG10W/X,115 , NPN 射频双极晶体管, 250 mA, Vce=10 V, HFE:25, 4引脚 SOT-343封装

艾睿:
Trans RF BJT NPN 10V 0.25A 400mW 4-Pin3+Tab SO T/R

安富利:
Trans GP BJT NPN 10V 0.25A 4-Pin3+Tab SO T/R

BFG10W/X,115中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 400 mW

输出功率 0.65 W

击穿电压集电极-发射极 10 V

最小电流放大倍数hFE 25 @50mA, 5V

额定功率Max 400 mW

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 400 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-343

外形尺寸

长度 2.2 mm

宽度 1.35 mm

高度 1 mm

封装 SOT-343

物理参数

材质 Silicon

工作温度 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BFG10W/X,115引脚图与封装图

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