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BFU580QX
NXP(恩智浦) 分立器件

晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 10.5 GHz, 1 W, 30 mA, 95 hFE

RF NPN 12V 60mA 10.5GHz 1W 表面贴装型 SOT-89-3


得捷:
RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT89-3


立创商城:
NPN Wideband Silicon RF Transistor


e络盟:
晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 10.5 GHz, 1 W, 30 mA, 95 hFE


艾睿:
Trans RF BJT NPN 16V 0.1A 1000mW Automotive 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R


Verical:
Trans RF BJT NPN 16V 0.1A 1000mW Automotive 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R


BFU580QX中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

耗散功率 1 W

输入电容 1.3 pF

击穿电压集电极-发射极 12 V

增益 8.5 dB

最小电流放大倍数hFE 60 @30mA, 8V

额定功率Max 1 W

直流电流增益hFE 95

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-89-3

外形尺寸

封装 SOT-89-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

BFU580QX引脚图与封装图
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在线购买BFU580QX
型号 制造商 描述 购买
BFU580QX NXP 恩智浦 晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 10.5 GHz, 1 W, 30 mA, 95 hFE 搜索库存