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BFU790F,115

BFU790F,115

数据手册.pdf
NXP(恩智浦) 分立器件

BFU790 系列 2.8 V 19.5 dB 增益 NPN 硅锗 射频晶体管-SOT-343F-4

BFU790F NPN silicon germanium microwave transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT343F package.
.
110 GHz fT silicon germanium technology * High maximum output power at 1 dB compression 20 dBm at 1.8 GHz * Low noise high linearity RF transistor

得捷:
RF TRANS NPN 2.8V 25GHZ 4DFP


e络盟:
晶体管 双极-射频, NPN, 2.8 V, 25 GHz, 234 mW, 100 mA, 235 hFE


艾睿:
Are you looking for a component that can handle high power radio frequencies? NXP Semiconductors&s; BFU790F,115 RF amplifier is your solution. This RF transistor has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 150 °C.


安富利:
Trans GP BJT NPN 2.8V 0.1A 4-Pin3+Tab DFP T/R


富昌:
BU 510 - SECURITY & CONNECTIVITY


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 2.8V 0.1A 4-Pin3+Tab DFP T/R


Verical:
Trans RF BJT NPN 2.8V 0.1A 234mW 4-Pin3+Tab DFP T/R


RfMW:
Transistor


DeviceMart:
TRANSISTOR NPN SOT343F-4


BFU790F,115中文资料参数规格
技术参数

频率 25000 MHz

针脚数 4

耗散功率 234 mW

输入电容 2.817 pF

击穿电压集电极-发射极 2.8 V

最小电流放大倍数hFE 235 @10mA, 2V

额定功率Max 234 mW

直流电流增益hFE 235

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 234 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-343

外形尺寸

封装 SOT-343

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

BFU790F,115引脚图与封装图
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在线购买BFU790F,115
型号 制造商 描述 购买
BFU790F,115 NXP 恩智浦 BFU790 系列 2.8 V 19.5 dB 增益 NPN 硅锗 射频晶体管-SOT-343F-4 搜索库存