BZX585-C9V1,115
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
BZX585-C9V1,115中文资料参数规格
技术参数
容差 ±5 %
正向电压 1.1V @100mA
耗散功率 300 mW
测试电流 5 mA
稳压值 9.1 V
正向电压Max 1.1V @100mA
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 SOD-523
外形尺寸
封装 SOD-523
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃
温度系数 5.2 mV/K
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BZX585-C9V1,115引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BZX585-C9V1,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BZX585-C9V1,115 | NXP 恩智浦 | SOD-523 9.105V 300mW | 搜索库存 |
替代型号BZX585-C9V1,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BZX585-C9V1,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOD523 | 当前型号 | SOD-523 9.105V 300mW | 当前型号 |
| 型号： BZX585-C9V1,135 品牌： 安世 封装： | 功能相似 | 单管二极管 齐纳, 9.1 V, 300 mW, SOD-523, 5 %, 2 引脚, 150 °C | BZX585-C9V1,115和BZX585-C9V1,135的区别 |