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BCR198WH6327XTSA1

BCR198WH6327XTSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon BCR198WH6327XTSA1 PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 47 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-323 SC-70封装

双电阻器数字,

Infineon 的一系列双极性结点晶体,配有集成电阻器,允许直接从数字来源驱动,无需其他元件。 双电阻器设备具有串行输入电阻器和连接晶体管基座与发射器的电阻器。


得捷:
TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3


欧时:
Infineon BCR198WH6327XTSA1 PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 47 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-323 SC-70封装


艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-323 T/R


安富利:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SOT-323 T/R


Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-323 T/R


Verical:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-323 T/R


Win Source:
TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3


BCR198WH6327XTSA1中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

耗散功率 0.25 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 70 @5mA, 5V

额定功率Max 250 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

增益带宽 190 MHz

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323-3

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 0.8 mm

封装 SOT-323-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

BCR198WH6327XTSA1引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BCR198WH6327XTSA1 Infineon 英飞凌 Infineon BCR198WH6327XTSA1 PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 47 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-323 SC-70封装 搜索库存