BCR141E6433HTMA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
BCR141E6433HTMA1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN
耗散功率 250 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 50 @5mA, 5V
额定功率Max 250 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
增益带宽 130 MHz
耗散功率Max 250 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
BCR141E6433HTMA1引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BCR141E6433HTMA1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BCR141E6433HTMA1 | Infineon 英飞凌 | 1个NPN-预偏置 100mA 50V | 搜索库存 |
替代型号BCR141E6433HTMA1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BCR141E6433HTMA1 品牌： Infineon 英飞凌 封装： SOT-23 NPN 50V 100mA 250mW | 当前型号 | 1个NPN-预偏置 100mA 50V | 当前型号 |
| 型号： BCR141E6327HTSA1 品牌： 英飞凌 封装： SOT-23 NPN 50V 100mA 250mW | 类似代替 | 单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3 | BCR141E6433HTMA1和BCR141E6327HTSA1的区别 |