BC858BE6327HTSA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
BC858BE6327HTSA1中文资料参数规格
技术参数
频率 250 MHz
额定电压DC -30.0 V
额定电流 -100 mA
极性 PNP
耗散功率 330 mW
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 220 @2mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 450
额定功率Max 330 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 330 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 For AF input stages and driver applications
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BC858BE6327HTSA1引脚图与封装图
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在线购买BC858BE6327HTSA1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BC858BE6327HTSA1 | Infineon 英飞凌 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR | 搜索库存 |
替代型号BC858BE6327HTSA1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BC858BE6327HTSA1 品牌： Infineon 英飞凌 封装： SOT-23 PNP -30V -100mA | 当前型号 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR | 当前型号 |
| 型号： BC858BL3E6327 品牌： 英飞凌 封装： TSLP PNP | 类似代替 | TSLP PNP 30V 0.1A | BC858BE6327HTSA1和BC858BL3E6327的区别 |