APT13003HZTR-G1
数据手册.pdfDiodes(美台)
分立器件
APT13003HZTR-G1中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
耗散功率 1100 mW
击穿电压集电极-发射极 465 V
集电极最大允许电流 1.5A
最小电流放大倍数hFE 13 @500mA, 2V
额定功率Max 1.1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1100 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
外形尺寸
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APT13003HZTR-G1引脚图与封装图 
APT13003HZTR-G1引脚图
APT13003HZTR-G1封装图
APT13003HZTR-G1封装焊盘图
在线购买APT13003HZTR-G1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| APT13003HZTR-G1 | Diodes 美台 | APT13003HZTR-G1 , NPN 高压双极晶体管, 1.5 A, Vce=800 V, HFE:5, 4最低MHz, 3针 TO-92封装 | 搜索库存 |
替代型号APT13003HZTR-G1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： APT13003HZTR-G1 品牌： Diodes 美台 封装： TO-92 NPN 1100mW | 当前型号 | APT13003HZTR-G1 , NPN 高压双极晶体管, 1.5 A, Vce=800 V, HFE:5, 4最低MHz, 3针 TO-92封装 | 当前型号 |
| 型号： APT13003EZTR-G1 品牌： 美台 封装： TO-92 NPN 1100mW | 完全替代 | APT13003EZTR-G1/TO-92 RoHS | APT13003HZTR-G1和APT13003EZTR-G1的区别 |