A2C25S12M3
ST Microelectronics(意法半导体)
电子元器件分类
耗散功率 197 W
击穿电压集电极-发射极 1200 V
输入电容Cies 1550pF @25V
额定功率Max 197 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 197000 mW
引脚数 35
封装 ACEPACK-2
封装 ACEPACK-2
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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A2C25S12M3 | ST Microelectronics 意法半导体 | 晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 25 A, 1.95 V, 197 W, 1.2 kV, Module | 搜索库存 |