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A2C25S12M3

A2C25S12M3

晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 25 A, 1.95 V, 197 W, 1.2 kV, Module

IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter with Brake 1200V 25A 197W Chassis Mount ACEPACK™ 2


得捷:
IGBT MOD 1200V 25A 197W ACEPACK2


e络盟:
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 25 A, 1.95 V, 197 W, 1.2 kV, Module


艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1200V 25A 197000mW 35-Pin ACEPACK-2 Frame


Verical:
Trans IGBT Module N-CH 1200V 25A 197000mW 35-Pin ACEPACK-2 Tray


A2C25S12M3中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 197 W

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 1550pF @25V

额定功率Max 197 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 197000 mW

封装参数

引脚数 35

封装 ACEPACK-2

外形尺寸

封装 ACEPACK-2

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

A2C25S12M3引脚图与封装图
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A2C25S12M3 ST Microelectronics 意法半导体 晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 25 A, 1.95 V, 197 W, 1.2 kV, Module 搜索库存