ALD110808SCL

Advanced Linear Devices 先进线性电子主动器件

SOIC N-CH 10.6V

MOSFET - 阵列 4 N 沟道，配对 10.6V 12mA，3mA 500mW 表面贴装型 16-SOIC

得捷:
MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC

DeviceMart:
MOSFET N-CH 10.6V QUAD 16SOIC

ALD110808SCL中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 500 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 500 mW

漏源极电压Vds 10.6 V

漏源击穿电压 10.0 V

栅源击穿电压 10.6 V

连续漏极电流Ids 12.0 mA

输入电容Ciss 2.5pF @5VVds

额定功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-16

外形尺寸

封装 SOIC-16

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

ALD110808SCL引脚图与封装图

ALD110808SCL引脚图

ALD110808SCL封装图

ALD110808SCL封装焊盘图

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