AON1606
数据手册.pdf
Alpha & Omega Semiconductor
万代半导体
分立器件
极性 N-CH
耗散功率 900mW Ta
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 0.7A
上升时间 4 ns
输入电容Ciss 62.5pF @10VVds
额定功率Max 900 mW
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 900mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 DFN-3
封装 DFN-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 无铅