APT95GR65JDU60

Microsemi(美高森美) 电子元器件分类

Ultra Fast NPT - IGBT with Ultra Soft Recovery Diode

IGBT NPT 650 V 135 A 446 W 底座安装 SOT-227

得捷:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

艾睿:
Ultra Fast NPT - IGBT with Ultra Soft Recovery Diode

Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 135A 446000mW Tube

APT95GR65JDU60中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 650 V

额定功率Max 446 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 446000 mW

封装参数

封装 SOT-227-4

外形尺寸

封装 SOT-227-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Motor Control

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

APT95GR65JDU60引脚图与封装图

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