APT45GR65SSCD10
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
电子元器件分类
APT45GR65SSCD10中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 543000 mW
击穿电压集电极-发射极 650 V
反向恢复时间 80 ns
额定功率Max 543 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 543000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Motor Control
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
APT45GR65SSCD10引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| APT45GR65SSCD10 | Microsemi 美高森美 | Trans IGBT Chip N-CH 650V 118A 543000mW 3Pin2+Tab D3PAK | 搜索库存 |