APT45GR65BSCD10

Microsemi(美高森美) 电子元器件分类

Trans IGBT Chip N-CH 650V 118A 543000mW 3Pin3+Tab TO-247

IGBT NPT 通孔 TO-247

得捷:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

贸泽:
IGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 118A

APT45GR65BSCD10中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 543000 mW

击穿电压集电极-发射极 650 V

反向恢复时间 80 ns

额定功率Max 543 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 543000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

高度 21.46 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

制造应用 Motor Control

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

APT45GR65BSCD10引脚图与封装图

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