APTM100H80FT1G

Microsemi(美高森美) 分立器件

全 - 桥式MOSFET功率模块 Full - Bridge MOSFET Power Module

Mosfet Array 4 N-Channel H-Bridge 1000V 1kV 11A 208W Chassis Mount SP1

得捷:
MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1KV 11A 12-Pin Case SP-1

APTM100H80FT1G中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 1000 V

连续漏极电流Ids 11A

上升时间 31 ns

输入电容Ciss 3876pF @25VVds

额定功率Max 208 W

下降时间 28 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 208000 mW

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 12

封装 SP-1

外形尺寸

封装 SP-1

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

APTM100H80FT1G引脚图与封装图

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