APTM100DU18TG

Microsemi(美高森美) 分立器件

双共源MOSFET功率模块 Dual Common Source MOSFET Power Module

Mosfet Array 2 N-Channel Dual 1000V 1kV 43A 780W Chassis Mount SP4

得捷:
MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1KV 43A 20-Pin Case SP-4

APTM100DU18TG中文资料参数规格

技术参数

漏源极电压Vds 1000 V

上升时间 12 ns

输入电容Ciss 10400pF @25VVds

额定功率Max 780 W

下降时间 40 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 780000 mW

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 20

封装 SP-4

外形尺寸

封装 SP-4

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

APTM100DU18TG引脚图与封装图

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