AUIRF7313Q
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
主动器件
AUIRF7313Q中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 6.9A
上升时间 7.3 ns
输入电容Ciss 755pF @25VVds
额定功率Max 2.4 W
下降时间 11 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2400 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
AUIRF7313Q引脚图与封装图
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在线购买AUIRF7313Q
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| AUIRF7313Q | Infineon 英飞凌 | SOIC N-CH 30V 6.9A | 搜索库存 |
替代型号AUIRF7313Q
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： AUIRF7313Q 品牌： Infineon 英飞凌 封装： 8-SOIC N-CH | 当前型号 | SOIC N-CH 30V 6.9A | 当前型号 |
| 型号： AUIRF7313QTR 品牌： 英飞凌 封装： SOIC Dual N-Channel 30V 6.9A | 类似代替 | INFINEON AUIRF7313QTR 双路场效应管, MOSFET, AEC-Q101, 双N沟道, 6.9 A, 30 V, 0.023 ohm, 10 V, 3 V 新 | AUIRF7313Q和AUIRF7313QTR的区别 |