APTC80H29T1G

Microsemi(美高森美) 分立器件

全 - 桥超级结MOSFET功率模块 Full - Bridge Super Junction MOSFET Power Module

MOSFET - 阵列 4 N 沟道（半桥） 800V 15A 156W 底座安装 SP1

得捷:
MOSFET 4N-CH 800V 15A SP1

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 15A 12-Pin Case SP-1

APTC80H29T1G中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 800 V

连续漏极电流Ids 15A

上升时间 13 ns

输入电容Ciss 2254pF @25VVds

额定功率Max 156 W

下降时间 35 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 156000 mW

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 12

封装 SP-1

外形尺寸

封装 SP-1

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

APTC80H29T1G引脚图与封装图

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