APTM120A80FT1G

Microsemi(美高森美) 分立器件

相桥臂MOSFET功率模块 Phase leg MOSFET Power Module

MOSFET - 阵列 2 个 N 通道（半桥） 1200V（1.2kV） 14A 357W 底座安装 SP1

得捷:
MOSFET 2N-CH 1200V 14A SP1

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 14A 12-Pin Case SP-1

APTM120A80FT1G中文资料参数规格

技术参数

漏源极电压Vds 1200 V

上升时间 27 ns

输入电容Ciss 6696pF @25VVds

额定功率Max 357 W

下降时间 42 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 357000 mW

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 12

封装 SP-1

外形尺寸

封装 SP-1

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

APTM120A80FT1G引脚图与封装图

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