APTM20DUM05TG
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APTM20DUM05TG中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
漏源极电压Vds 200 V
连续漏极电流Ids 333A
输入电容Ciss 40800pF @25VVds
额定功率Max 1250 W
封装参数
安装方式 Chassis
封装 SP-4
外形尺寸
封装 SP-4
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APTM20DUM05TG引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| APTM20DUM05TG | Microsemi 美高森美 | N-CH 200V 333A | 搜索库存 |