APTM50TDUM65PG

Microsemi(美高森美) 分立器件

三重双共源MOSFET功率模块 Triple dual common source MOSFET Power Module

MOSFET - 阵列 6 N-沟道（3 相桥） 500V 51A 390W 底座安装 SP6-P

得捷:
MOSFET 6N-CH 500V 51A SP6-P

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 51A 21-Pin Case SP-6P

APTM50TDUM65PG中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 51A

上升时间 38 ns

输入电容Ciss 7000pF @25VVds

额定功率Max 390 W

下降时间 93 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 390000 mW

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 21

封装 SP-6

外形尺寸

封装 SP-6

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

APTM50TDUM65PG引脚图与封装图

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