APTM10DHM09TG

Microsemi(美高森美) 分立器件

非对称 - 桥MOSFET功率模块 Asymmetrical - Bridge MOSFET Power Module

MOSFET - 阵列

得捷:
MOSFET 2N-CH 100V 139A SP4

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 139A 20-Pin Case SP-4

APTM10DHM09TG中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 139A

上升时间 70 ns

输入电容Ciss 9875pF @25VVds

额定功率Max 390 W

下降时间 125 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 390000 mW

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 20

封装 SP-4

外形尺寸

封装 SP-4

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

APTM10DHM09TG引脚图与封装图

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