AON5802A

Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体分立器件

DFN N-CH 30V 7.2A

Mosfet Array 2 N-Channel Dual Common Drain 30V 7.2A 1.7W Surface Mount 6-DFN-EP 2x5

得捷:
MOSFET 2N-CH 30V 7.2A 6-DFN

Win Source:
MOSFET 2N-CH 30V 7.2A 6-DFN

AON5802A中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 7.2A

输入电容Ciss 1115pF @15VVds

额定功率Max 1.7 W

耗散功率Max 1.7 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SMD-6

外形尺寸

封装 SMD-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

AON5802A引脚图与封装图

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