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ADR431BRZ-REEL7

ADR431BRZ-REEL7

数据手册.pdf
ADI(亚德诺) 主动器件

超低噪声XFET基准电压与电流库和源能力 Ultralow Noise XFET Voltage References with Current Sink and Source Capability

系列 电压基准 IC ±0.04% 8-SOIC


立创商城:
串联 30mA


得捷:
IC VREF SERIES 0.04% 8SOIC


贸泽:
Voltage References 2.5V w/Crnt Sink & Srce Capability


艾睿:
V-Ref Precision 2.5V 30mA 8-Pin SOIC N T/R


安富利:
V-Ref Precision 2.5V 30mA 8-Pin SOIC N T/R


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V-Ref Precision 2.5V 30mA 8-Pin SOIC N T/R


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V-Ref Precision 2.5V 30mA 8-Pin SOIC N T/R


DeviceMart:
IC VREF SERIES 2.5V 8-SOIC


ADR431BRZ-REEL7中文资料参数规格
技术参数

容差 ±0.04 %

输入电压DC 20.0V max

输出电压 2.5 V

输出电流 30 mA

供电电流 800 µA

通道数 1

输入电压Max 20 V

输出电压Max 2.5 V

输出电压Min 2.5 V

输出电流Max 30 mA

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

精度 ±0.04 %

输入电压 4.5V ~ 18V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

温度系数 ±3 ppm/℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

ADR431BRZ-REEL7引脚图与封装图
ADR431BRZ-REEL7引脚图

ADR431BRZ-REEL7引脚图

ADR431BRZ-REEL7封装图

ADR431BRZ-REEL7封装图

ADR431BRZ-REEL7封装焊盘图

ADR431BRZ-REEL7封装焊盘图

在线购买ADR431BRZ-REEL7
型号 制造商 描述 购买
ADR431BRZ-REEL7 ADI 亚德诺 超低噪声XFET基准电压与电流库和源能力 Ultralow Noise XFET Voltage References with Current Sink and Source Capability 搜索库存
替代型号ADR431BRZ-REEL7
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： ADR431BRZ-REEL7

品牌： ADI 亚德诺

封装： SOIC 2.5V 30mA 8Pin

当前型号

超低噪声XFET基准电压与电流库和源能力 Ultralow Noise XFET Voltage References with Current Sink and Source Capability

当前型号

型号： ADR431BR-REEL7

品牌： 亚德诺

封装： SOIC 2.5V 30mA 8Pin

完全替代

超低噪声XFET基准电压与电流库和源能力 Ultralow Noise XFET Voltage References with Current Sink and Source Capability

ADR431BRZ-REEL7和ADR431BR-REEL7的区别

型号： AD780BRZ

品牌： 亚德诺

封装： 8SOIC 2.5V 10mA 8Pin

类似代替

ANALOG DEVICES  AD780BRZ..  单管二极管 齐纳, 500 mW, SOIC, 8 引脚, 85 °C

ADR431BRZ-REEL7和AD780BRZ的区别

型号： AD780BR

品牌： 亚德诺

封装： SOIC 2.5V 10mA 8Pin

类似代替

2.5 V / 3.0 V高精密基准 2.5 V/3.0 V High Precision Reference

ADR431BRZ-REEL7和AD780BR的区别