ADR434BRZ-REEL7
数据手册.pdfADI(亚德诺)
主动器件
ADR434BRZ-REEL7中文资料参数规格
技术参数
容差 ±0.04 %
输入电压DC 18.0V max
输出电压 4.096 V
输出电流 30 mA
供电电流 800 µA
通道数 1
输入电压Max 20 V
输出电压Max 4.096 V
输出电压Min 4.096 V
输出电流Max 30 mA
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
精度 ±0.04 %
输入电压 6.1V ~ 18V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 125℃ TA
温度系数 ±3 ppm/℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
ADR434BRZ-REEL7引脚图与封装图 
ADR434BRZ-REEL7引脚图
ADR434BRZ-REEL7封装图
ADR434BRZ-REEL7封装焊盘图
在线购买ADR434BRZ-REEL7
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ADR434BRZ-REEL7 | ADI 亚德诺 | 超低噪声XFET基准电压与电流库和源能力 Ultralow Noise XFET Voltage References with Current Sink and Source Capability | 搜索库存 |
替代型号ADR434BRZ-REEL7
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： ADR434BRZ-REEL7 品牌： ADI 亚德诺 封装： SOIC 4.1V 30mA 8Pin | 当前型号 | 超低噪声XFET基准电压与电流库和源能力 Ultralow Noise XFET Voltage References with Current Sink and Source Capability | 当前型号 |
| 型号： ADR434BRZ 品牌： 亚德诺 封装： SOIC 4.1V 30mA 8Pin | 类似代替 | 3.0V 至 4.5V，Analog Devices### 电压参考，Analog Devices精密固定和可调电压参考 IC 利用串联、并联或串联/并联拓扑，并提供通孔和表面安装封装。 电压参考的初始准确度为 ±0.02 至 ±2%。 | ADR434BRZ-REEL7和ADR434BRZ的区别 |