APTM120SK29TG
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APTM120SK29TG中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 780W Tc
漏源极电压Vds 1200 V
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 10300pF @25VVds
下降时间 45 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 780W Tc
封装参数
安装方式 Chassis
引脚数 20
封装 SP-4
外形尺寸
封装 SP-4
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APTM120SK29TG引脚图与封装图
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